美国国家标准与技术研究院（NIST）的一个研究小组开发了纳米线紫外线LED，它能够根据更简单的外壳设计产生五倍的光强度。

UV LED用于越来越多的应用，例如聚合物固化，水净化和医疗消毒。 NIST的研究人员一直在尝试为用于电子和生物应用的扫描探针尖端制作基于纳米线的LED。最近，研究人员一直在试验由硅掺杂GaN制成的纳米线核心，这种核心具有额外的电子，被镁掺杂的GaN制成的壳体包围，这些壳体具有多余的缺失电子的“空穴”。当电子和空穴结合时，能量以光的形式释放，这一过程称为电致发光。

该研究发表在纳米技术期刊上，标题为“基于N极极性选择区外延生长的核心壳AlGaN / GaN纳米线异质结构的紫外LED。”如文章所述，更亮的LED由所谓的纳米线制成。 “pin”结构，三层设计，将电子和空穴注入纳米线。向壳中添加铝有助于将电子限制在纳米线核心，使电致发光增强五倍。

（图片来源：NIST）

“铝的作用是引入电流的不对称性，阻止电子流入壳层，这会降低效率，反而将电子和空穴限制在纳米线核心，”第一作者Matt Brubaker解释说。

纳米线测试结构长约440纳米（nm），壳厚度约为40nm。最终的LED，包括外壳，几乎大了10倍。研究人员发现，加入到制造结构中的铝量取决于纳米线直径。

集团领导人Kris Bertness表示，至少有两家公司正在开发基于纳米线的微型LED，NIST与其中一家公司签署了合作研发协议，以开发掺杂剂和结构表征方法。研究人员已经与扫描探针公司就他们的探针技巧中使用NIST LED进行了初步讨论，NIST计划很快展示原型LED工具。

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